El vostro prinsipałe fornidore de materiałi e microcircuiti ełetronici
Luoyang Zhongchao New Material Co., Ltd. (in vanti ciamà "ZC-TECH") el se cata inte ła Zona Industrial Cluster, Provincia de Henan, Cina, co na superfisie de pì de 60 acri. Fondà nel 2003, ła xe na inprexa che ła integra ła ricerca e el sviłupo profesionałe, ła produsion e ła vendita de novo materiałe rispetoxo de l’ambiente e sensa incuinamento. I so prodoti prinsipałi i xe materiałe super fin a baxe de aluminio e materiałe super fin a baxe de magnesio, alumina speciałe, alumina sferica, boehmite, ceramiche avansàe, ceramiche ełetroneghe e altri materiałi inorganici.
Fornìr progeti de formułe personalixài pa requixidi speciałi come aplicasión sensa ałoxeni, poco fumo e ałoxeni.
Vantaji deła ceramica co-coda a basa tenperadura
I materiałi seramici i ga carateristiche de alta frecuénsa, de trasmision a alta vełocità e de banda passà granda. Secondo i ingredienti difarenti, ła costante diełetrica del materiałe ltcc ła pol canbiar in un gran intervało. In conbinasion co l’uxo de materiałe metałico co alta condutività come materiałe condutor, xe bon migliorar el fator de quałità del sistema de circuito e aumentar ła flesibiłità del progeto del circuito.
El pol adatarse ałe requixide de alta corente e alta resistensa a tenperadura, e el ga mejo condutività termica de ła ordinaria pcb subgrade board, otimixando tanto el disegno de disipasion de całor de l’equipagiamento ełetronico, alta afidabiłità, el pol esar doparà in anbienti duri, slongar ła so vita de servisio;
Se pol far ła scheda ełetrica co un gran nùmaro de strati e se pol métarghe drénto pì conponenti pasivi, el che el elimina el costo de conponenti de inbalamento. Inte ła scheda ełètrica tridimensionałe co un gran nùmaro de strati, se pol reałixare l’integrasion de conponenti pasivi e ativi, che ła xe favorevołe a migliorar ła densità de asenblagio del circuito e a sbasàr ulteriormente el vołume e el peso.
El xe conpatìbiłe co altre tecnołogie de cablajo multistrato, come el ltcc conbinà co ła tecnołogia de cablajo a film sotiłi pa otegnìr na densità de asenblagio pi alta e na mèjo prestasion de substrati multistrato ibridi e conponenti multichip ibridi;
Ła tecnołogia de produsion discontinua ła juta l’ispesion deła quałità de ogni cablaggio de strato e ła interconession atraverso el buso prima che el prodoto finìo el vegna fato, el che xe bon pa aumentar ła resa e ła quałità del substrato multistrato, scurtar el ciclo de produsion e sbasàr el costo.
Aplicasion de ła ceramica a basa tenperadura co-
Tełecomunicasion:
Doparà in modułi e antene RF, el LTCC el permete ła trasmision de segnałi a alta-frecuensa co perdite minime, migliorando ła quałità deła comunicasion sensa fiłi.
01
Aerospasio e difexa:
El fornise conponenti afidabiłi e łixieri pa sistemi radar, comunicasión par satełite e ełetronega miłitare che ga da tegner bota a anbienti duri.
02
Dispoxitivi mediçi:
El juta machinari de imàxene in miniatura, dispoxitivi inpiantàbiłi e strumenti de diagnostica portatiłi co ełetronega integrà.
03
Auto:
El dà forsa a sistemi de asistensa avansài del condutór (ADAS), sensori e modułi de comunicasion in machina, aumentando ła sicuresa e ła conetività.
04
Ełetronega de consumo:
El suporta smartphone, wearables e dispoxitivi IoT che i ga bisogno de circuiti compati e a alta-frecuensa.
05
Parametro del prodoto
|
Roba |
Indice tecnico |
|
Diametro del buso |
0,2 mm,0,15 mm |
|
Precision deła posision de punzo |
±10 µm |
|
Precision de impilamento |
±10 µm |
|
Stanpàr ła larghesa deła linea pì sotiłe |
75 µm |
|
Precision del spessore del film |
±2 µm |
|
Forsa del legame |
＞3 g(25 μm de diametro Filo dorà) |
|
Adesion de pełicoła |
＞0,5 kg/mm2 |
|
Nùmaro de strati |
5~30 strati |
Vantaji deła tecnołogia dei circuiti de film sotiłi
Miniaturixasion:
Ła tecnołogia Thin-film ła permete ła creasion de circuiti altamente conpati, rendendoło adato pa aplicasion indove che el spasio el xe limità.
Alta frecuénsa:
I circuiti a film sotiłi i ga bone prestasión a alte frecuense, e questo li rende adati pa aplicasion in sistemi RF e microonde.
Alta prestasion:
L’uxo de materiałi de alta quałità e procèsi de produsion precisi i porta a circuiti co carateristiche de prestasion ecełenti.
Baso consumo de enerxia:
I circuiti a film sotiłi i ga speso un consumo de enerxia pì baso rispeto a altre tecnołogie de circuiti.
Afidabiłità:
El proceso de produsion de film sotiłi el garantise na bona adexion e stabiłità dei materiałi, portando a na mejo afidabiłità e longevità dei circuiti.
Aplicasion deła tecnołogia dei circuiti de film sotiłi
Optoełetronega e schermi:
I rivestimenti a film sotiłi i parmete ła creasion de strati condutivi trasparenti, rivestimenti anti-rifletivi e strati emettori de łuxe-, aumentando ła prestasion e ła quałità vixuałe dei dispoxitivi optoełetronici.
Semicondutori e circuiti integrai:
Ła tecnołogia del Thin-film ła ga un ruoło cruciałe neła produsion de semicondutori e circuiti integrài (CI). El parmete ła depoxision de strati sotiłi de materiałi, come l’anidride de silicio (SiO2) o el nitruro de silicio (Si3N4), come strati isołanti o diełetrici de porta. I film sotiłi i juta anca ła creasion de percorsi condutivi, interconession e strati de metalizasion nei procesi de fabricasion de IC.
Otica e fotonica:
I film sotiłi i xe doparai in modo estenso in conponenti e sistemi otici. I permete ła produsion de rivestimenti anti-rifletivi su lenti e speci pa sbasàr ła riflesion deła łuxe e masimixar ła trasmision deła łuxe.
Sensori e biosensori:
Ła tecnołogia Thin-film ła cata aplicasión nel sviłupo de sensori e biosensori pa un mucio de industrie. I film sotiłi i pol esar doparai pa crear strati sensibiłi che i interagise co i anałiti bersajo o co łe condisión anbientałi, permetendo el rilevamento de parametri fixici, chimici o biołogici.
Immagazinamento e conversion de energia:
I film sotiłi i ga un ruoło inportante nełe tecnołogie de conservasion e conversion de energia. Inte łe baterie e łe cełułe a combustibiłe, i film sotiłi i vien doparài come rivestimenti protetivi, materiałi de separasion e strati de catałisatori pa aumentar ła prestasion, ła durabilità e l’eficiensa. Łe cełułe sołari a film sotiłi, come ła fotovoltaica a film sotiłi (TFPV) baxà su materiałi come el silicio amorfo (a-Si) o el telurido de cadmio (CdTe), łe ofre na alternativa ałe cełułe sołari tradisionałi a baxe de silicio-.
Sistemi microełetromecanici (MEMS):
Ła tecnołogia Thin-film ła xe fondamentałe pa ła fabricasion de dispoxitivi MEMS. I film sotiłi i vien doparài pa formar strati struturałi, materiałi piezoełètrici e trace condutive neła fabricasion de MEMS, permetendo un controło preciso e ła manipolasion de fenomeni fixici a microscała.
Parametro del prodoto
|
Roba |
Indice tecnico |
|
Traverso el buco |
Spesor del substrato×0,8 |
|
Ła distansa minima dała Banda guida al bordo de la ceramica |
0,050 mm |
|
Litografica łarghesa minima deła linea |
0,015mm |
|
Resistensa |
±10% |
Sertiffegà
fAQ
Semo conosui come uno dei prinsipałi produtori e fornidori de materiałi ełetronici e microcircuiti in Cina. Par piaser, no stè a conprar materiałi ełetronici e microcircuiti de alta quałità fati in Cina qua dała nostra fabrica. Per la consultazione del prezzo, contattateci.