Ceramica a basa tenperadura co-
Descrission
Parametri tecnici
Ła tecnołogia deła ceramica a basa tenperadura ła se riferise al proceso de perforar mecanicamente i buxi, inpinirli co pasta de condutor, stanpar, inbalar e altri procesi doparài pa far i conponenti ełetronici necesari da strisse de ceramica grexa. Come tecnołogia de ponta, LTCC el ga un marcà de aplicasion anpio e tante oportunità de sviłupo futuri. El xe doparà soratuto in vari canpi, come l'informatica, l'industria automobiłistica, el setor medico e l'aerospasio.
Diresion de ricerca
Ła diresion de sviłupo de LTCC ła xe queła de crear novi tipi de sistemi de nastro ceramico co costi pì basi, prestasión e precision pì alte. Sti sistemi de nastro in ceramica i parmete de produxer dispoxitivi ełetronici co misturasion a alta e basa frecuénsa, cavità conplese, integrasion a alta-densità e miniaturixasion.
Proceso tecnołogico
Perforasion → Riempimento → Stanpa → Impilamento → Premision → Tajo a caldo → Co-Firto → Scribing→ Prova
Introdusion del prodoto
1, Prova: Aspeto
Strumenti de prova: Stereomicroscopio
Metodi de prova: metodo GJB548B 2032
Indice tecnico: 80% delle parti grafiche sono complete
2,Ogeti de prova:dimension generałe
Strumenti de prova: pinza Vernier, strumento pa mixurare l’imagine
Metodi de prova:GJB548B,Metodo 2016
Indice tecnico:
| Roba | Eror |
| Dimension | ±0,2 mm |
| Deformasion | Sii superiore al 3% |
| Cavità | ±0,1 mm |
3,Ogeti de prova: adexion a ła menbrana
Strumenti de prova: 3M610 nastro adesivo
Metodi de prova: Metodo de prova del nastro ASTM B571-97
Indice tecnico: soto un microscopio 40X, no ghe xe fenomeni de sbregamento sul strato deła menbrana in nisùna forma
4,Ogeti de prova:Rexistensa ała alta tenperadura del strato de menbrana
Strumenti de prova: Hot Stage
Metodi de prova: tegner a 400 gradi pa 10 minuti
Indice tecnico: soto un microscopio 40X, no ghe xe descołorasion, sbuciamento, vesciche o fenòmeno de sbuciamento sul strato deła menbrana in nisùna forma
5,Altri indici tecnici
| Roba | Indice tecnico |
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Diametro del buso |
0,2 mm,0,15 mm |
|
Precision deła posision de punzo |
±10 µm |
| Precision de impilamento | ±10 µm |
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Stanpàr ła larghesa deła linea pì sotiłe |
75 µm |
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Precision del spessore del film |
±2 µm |
| Forsa del legame |
＞3 g(25 μm de diametro Filo dorà) |
| Adesion de pełicoła | ＞0,5 kg/mm2 |
| Nùmaro de strati | 5~30 strati |
El sentro dei microcircuiti
El Microcircuit Center el xe stà fondà nel 2022, co funsión de ricerca indipendente e de cooperasión esterna. I esperti del setore i guida el grupo pa esar responsabiłe deła ricerca tecnica e dei laori de sviłupo. El dipartimento el ga un impianto de purificasion de 1500 metri quadri e un grupo de ricerca e sviłupo tecnołogico de pì de diese persone, co capacità tecniche de punta de l’industria. El sentro de microcircuiti el xe costruìo co ła linea de produsion LTCC (Low Temperature Co fired Ceramic) Ceramic, perforasion, stanpa, laminasion, laminasion, co firing, tajo e altri laori rełativi. Al steso tenpo, ghe xe anca na linea de produsion de film sotiłi co procèsi conpleti come sputtering, fotolitografia e galvanistica, che pol far prodoti convensionałi de circuiti de film sotiłi e prodoti DPC.
Porte: ceramica co-co-a bassa temperatura, Cina co-co-ceramica co-costa a bassa temperatura produtori, fornitori, fabrica
Pressedente
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